微波等离子化学气相沉积(MPCVD系统


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微波等离子化学气相沉积(MPCVD)系统 

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    一款先进的碟形腔体微波等离子体化学气相沉积设备,可应用于单晶金刚石和多晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜的化学气相沉积以及材料表面处理、改性及掺杂等相关研究工作。

       微波输入采用下馈的方式,为腔体结构的优化提供了更大的空间。

 该设备可以在相对大面积的衬底上进行单晶和多晶金刚石生长,具备平面和非平面金刚石(HDC)的生长能力。其中,单晶金刚石沉积厚度上限不低于6mm,多晶金刚石沉积厚度上限不低于500μm。


性能特点:

֍采用高效散热的样品台

֍产品沉积速率快、沉积质量高

֍稳定的微波输入

֍最大功率达到10kW

֍能先进,安全、可靠性强、重现性好

֍多参数实时监测、多重联锁保护与报警

֍为用户提供沉积工艺解决方案

֍可实现多步生长工艺编辑,实现流量、温度控制

֍具备保险装置、报警单元和紧急停机功能

֍具备远程报警功能

֍具有冷却水水流量和水温监测和报警功能


主要技术参数:

微波源

6kW10kW可选,2.45GHz

功率稳定率优于±1.5%,满负荷反射功率<50W

反应腔

碟形反应腔,可承载微波功率>10kW

标配4个蓝宝石窗口

反应腔打开方式

揭盖式或升降式,可选
微波馈入方式腔体下方
微波泄露<1mW/cm2

机械泵抽速

4L/s

分子泵选配,抽速140L/s

极限真空度

不配分子泵:<5×10-1Pa(3.75×10-3Torr)

配分子泵:<5×10-4Pa(3.75×10--6Torr

真空计精度

不配分子泵:<1×10-1Pa(7.5×10-4Torr)

配分子泵:<1×10-5Pa(7.5×10-8Torr)

真空漏率<5×10-10 Pa·L/s
压升率<20Pa/12h(0.15Torr/12h)
气体质量流量控制标配5路,可定制
工作气压0.8kPa - 40kPa(6.0Torr-300Torr)
气压控制精准度±0.01kPa(±0.075Torr)
基板台类型铜制水冷基板台
标准衬底托

Φ60mmΦ76.2mmΦ80mm

有效沉积直径

配10kW微波源:>80mm

配6kW微波源:>60mm

样品台升降功能有,可选
样品台旋转功能

有,可选;

  • 旋转模式:连续转动、间隙转动

  • 旋转角度:360°

  • 旋转速度:0~20转/分,可调节

样品台温控范围

室温-1200℃

红外高温计测温范围300-1400℃
非平面(球面)金刚石样品台可选

系统冷却水水流量

<45L/min

微波源独立水路可选,<20L/min
操作系统PLC控制系统
单次连续工作时间>300h